工艺共 3 条

InP异质结（HEMT/HBT）器件靠高电子迁移率与高截止频率占据太赫兹低噪与高频率段，工艺难点在异质界面控制与脆弱性。

GaN太赫兹功放工艺围绕外延质量、栅长与封装散热展开：短栅长提频率，厚外延提功率，封装热阻决定能否把功率用出来。

SiGe BiCMOS在中频到毫米波段以低成本集成见长，靠SiGe异质结基极提频率，同时保留CMOS的数字集成度，适合大规模相控阵。