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AoP 毫米波封装前端 AP-A60 系列 基于 AoP 天线封装，面向 57–71 GHz，天线直接封装，省 PCB 走线损耗。

扇出型 AiP 太赫兹封装前端 AP-T140 系列 基于 Fan-out 扇出封装，面向 120–170 GHz，天线与射频裸片扇出集成，互连短。

SiP 毫米波封装前端 AP-K28 系列 基于 SiP 系统级封装，面向 26–30 GHz，收发+天线一体，出厂即校准。

CMOS 模拟波束成形收发 BF-C28 系列 基于 CMOS SOI，面向 24–29 GHz，8 通道一体，功耗低，适配小阵列。

GaN 大功率波束成形收发 BF-G29 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 27–30 GHz，每通道自带功放，发射功率高。

SiGe 波束成形收发 BF-K39 系列 基于 SiGe BiCMOS，面向 37–40 GHz，16 通道高密度，适配 6G 中频阵列。

腔体高 Q 滤波器 FL-C35 系列 基于 铝腔体，面向 3–6 GHz，超低插损、超高选择性，适配基站。

LTCC 毫米波带通滤波器 FL-L28 系列 基于 LTCC 多层，面向 26–30 GHz，体积小、可表贴，便于阵列集成。

波导带通滤波器 FL-W90 系列 基于 金属波导，面向 80–100 GHz，Q 值高、插损低，适配太赫兹前端。

GaN 宽带低噪声放大器 LNA-W18 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 6–18 GHz，宽带内噪声平稳，抗烧毁能力强。