面向6G AAU与Sub-THz前端，功放选型先看频率、功率与工艺：Sub-6/FR3选GaN高功率，毫米波选GaN或InP，220GHz以上优先InP低噪高频率。
选型共 3 条
本分类聚焦「选型」相关的技术解析、对比与选型资料，覆盖从原理到落地的关键问题。
混频器选型看变频损耗、本振泄漏与三阶交截；倍频器看次数与相位噪声恶化。InP/GaAs适合高频，SiGe适合中频低成本集成。
射频开关选型核心看插入损耗、隔离度、功率容量与切换速度：SOI适合中频低耗，GaAs/GaN适合高频高功率，端口数按通道架构定。
