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6G AAU前端面向大规模阵列的收发链路，承担波束成形、高功率发射与高灵敏接收，场景集中在城区覆盖、热点扩容与毫米波回传。

卫星载荷射频前端面向星载与地面的高可靠收发，场景包括宽带通信、遥感与导航，强调抗辐照、宽温与相位一致性。

雷达通感共用前端把通信与感知合二为一，场景包括车规雷达、工业感知与低空监测，强调大带宽、低相位噪声与快速T/R切换。

GaN与InP前端成本要看频段与产量：GaN在中低频量产摊薄、单价低；InP在太赫兹段不可替代但单价高，按链路位置分工最省钱。

低成本集成前端靠SiGe/CMOS同片化、封装标准化与板级简化降本：把射频与数字尽量同片，减少互连与校准负担，适合海量消费与车载场景。

太赫兹前端成本集中在小晶圆、低良率、异质集成与逐批表征：材料与工艺窗口窄，规模化难度高，单通道成本远高于毫米波。

AiP把天线与射频前端共封装，用短互连降低损耗与相位不一致，阵列因此能做小做密；代价是回损、互耦与热阻必须按频率重仿。

波束成形RFIC通过每通道可控移相与幅度实现波前合成：数字/模拟/混合波束成形在功耗、复杂度与分辨率上各有取舍。

LNA噪声系数由器件等效输入噪声与源阻抗匹配共同决定；InP在高频段噪声最低，SiGe适合中频低成本，匹配网络偏离最佳源阻抗会快速恶化NF。

InP异质结（HEMT/HBT）器件靠高电子迁移率与高截止频率占据太赫兹低噪与高频率段，工艺难点在异质界面控制与脆弱性。