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GaN太赫兹功放工艺围绕外延质量、栅长与封装散热展开：短栅长提频率，厚外延提功率，封装热阻决定能否把功率用出来。

SiGe BiCMOS在中频到毫米波段以低成本集成见长，靠SiGe异质结基极提频率，同时保留CMOS的数字集成度，适合大规模相控阵。

面向6G AAU与Sub-THz前端，功放选型先看频率、功率与工艺：Sub-6/FR3选GaN高功率，毫米波选GaN或InP，220GHz以上优先InP低噪高频率。

混频器选型看变频损耗、本振泄漏与三阶交截；倍频器看次数与相位噪声恶化。InP/GaAs适合高频，SiGe适合中频低成本集成。

射频开关选型核心看插入损耗、隔离度、功率容量与切换速度：SOI适合中频低耗，GaAs/GaN适合高频高功率，端口数按通道架构定。

射频前端的EMC重点是发射杂散、抗扰与静电：杂散发射受ETSI/BT限制，抗扰按行业等级，静电放电需按器件敏感等级预留余量。

毫米波前端测试强调波导校准、OTA与去嵌：24GHz以上板级S参数失真，必须用OTA或探针+去嵌还原真值。

射频前端测试横跨3GPP/ETSI的产业标准与MIL/JEDEC的可靠性标准：前者管射频限值与互操作，后者管寿命与环境适应性。

增益相位靠矢量网络分析仪测S参数，校准与去嵌决定精度；毫米波要用波导校准，阵列要逐通道测一致性。

可靠性靠温度循环、湿热、机械冲击与寿命试验验证；军品走MIL筛选，工业走JEDEC，太赫兹器件还要看工艺一致性。