低噪声放大器共 3 条

GaN 宽带低噪声放大器 LNA-W18 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 6–18 GHz，宽带内噪声平稳，抗烧毁能力强。

InP 太赫兹低噪声放大器 LNA-T200 系列 基于 InP HEMT，面向 170–220 GHz，太赫兹接收链路噪声系数领先，增益平坦。

SiGe 毫米波低噪声放大器 LNA-K28 系列 基于 SiGe BiCMOS，面向 26–30 GHz，与波束成形 RFIC 同裸片，省去互连损耗。