变频器件共 3 条

GaN 上变频模块 MX-G18 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 6–18 GHz 射频，上变频可带功率，适配发射链路。

InP 太赫兹下变频器 MX-T200 系列 基于 InP HEMT，面向 170–220 GHz 射频，太赫兹下变频噪声低，本振需求小。

SiGe IQ 调制下变频器 MX-K28 系列 基于 SiGe BiCMOS，面向 26–30 GHz 射频，集成 IQ 调制，直接产出基带。