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InP 太赫兹低噪声放大器 LNA-T200 系列 基于 InP HEMT，面向 170–220 GHz，太赫兹接收链路噪声系数领先，增益平坦。

SiGe 毫米波低噪声放大器 LNA-K28 系列 基于 SiGe BiCMOS，面向 26–30 GHz，与波束成形 RFIC 同裸片，省去互连损耗。

GaN 上变频模块 MX-G18 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 6–18 GHz 射频，上变频可带功率，适配发射链路。

InP 太赫兹下变频器 MX-T200 系列 基于 InP HEMT，面向 170–220 GHz 射频，太赫兹下变频噪声低，本振需求小。

SiGe IQ 调制下变频器 MX-K28 系列 基于 SiGe BiCMOS，面向 26–30 GHz 射频，集成 IQ 调制，直接产出基带。

GaN 毫米波功率放大器 PA-G28 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 28–39 GHz，高占空比下结温余量充足，适配 5G-A 与 6G 基站末级。

InP 太赫兹功率放大器 PA-T220 系列 基于 InP HEMT，面向 180–300 GHz，太赫兹频段增益平坦，封装后寄生可控。

SiGe 毫米波中功率放大器 PA-K26 系列 基于 SiGe BiCMOS，面向 24–29 GHz，与收发芯片同工艺，便于片上集成。

CMOS Ku 波段射频开关 SW-C15 系列 基于 CMOS SOI，面向 12–18 GHz，超低功耗，适合终端与便携设备。

GaN 单刀三掷射频开关 SW-G18 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 6–18 GHz，高功率端口不烧毁，适配大功率路由。